Corte y Ruptura

Veamos que ocurre cuando estando en corte vamos aumentamos el valor de V_CE:

Tenemos un valor en el que hay una ruptura por avalancha. Para que no ocurra la avalancha la V_CE tiene que estar por debajo de ese valor:

3ª aproximación

Normalmente usamos la 2ª aproximación, pero cuando hay errores muy grandes usaremos la 3ª aproximación.

Vamos a ver dos casos, con un transistor de pequeña señal y con uno de gran señal:

 

Transistor de pequeña señal  (potencia <= 0,5 W) 2N3904   IC = 100 mA    rBbe = 1,5 W Aproximamos los 0,85 a 0,7.

Transistor de gran señal  (potencia > 0,5 W) 2N3055 Se trabaja con intensidades mayores, entonces las diferencias también son mayores. IC = 10 A    rBbe = 0,09 W VBE = 0,7 + 10 · 0,09 = 1,6 V

El punto de trabajo en el de gran señal esta más a la derecha que en el de pequeña señal. Las corrientes son tan grandes que la caída I_C·r_Bbe se hace importante, y habría que tenerla en cuenta. Si vemos la característica de salida:

saturación: Para el 2N3904:

r_Bbc = 2,8 W   I_C = 100 mA

V_CE = I_C · r_Bbc = 0,28 V 

Este valor de V_CE nos aleja del ideal. Con el de gran señal (2N3055):

I_C = 10 A      r_Bbc = 0,5 W           V_CE = I_C· r_Bbc = 10· 0,5 = 0,5 V

Se aparta más del ideal que el anterior, porque el valor de V_CE es mayor, el de potencia tiene una inclinación mayor.

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