Analizamos la malla de salida y obtenemos distintas curvas para diferentes valores de IB.
Ajustando VBB fijo un valor de IB que voy a mantener constante (por ejemplo IB = 10 mA). Ahora variando VCC mido valores de VBE y IC y obtengo la correspondiente curva de IB = 10 mA. Hago lo mismo para IB = 20 mA, etc... Y así sucesivamente para diferentes valores de IB.
En cada una de estas curvas hay diferentes zonas:
UE
= diodo EB = Unión de Emisor.
UC = diodo CB = Unión de Colector.
Recordar que en activa conociendo el valor de IB se puede calcular la IC (IC = bcc · IB).
La zona de corte es desde IB = 0 hacia abajo (zona rallada) y no conduce
Veamos para que sirve cada zona:
En este caso el control es por corriente.
Comparación con el diodo:
Con el diodo el control es por tensión.
Ahora vamos a ver como pasamos de una zona a otra.
Ejemplo:
Una vez obtenido esto, el valor y el signo de las tensiones nos dirá en que zona estamos trabajando.
Para pasar de una zona a otra, de saturación a activa, se varía la UC de directa a inversa.
Si la VCE se encuentra entre 0 V y 0,2 V, la UC está en directa y el transistor está en Saturación. Si VCE es mayor o igual a 0,2 V la UC está en inversa y por lo tanto en transistor está en Activa.
Corte:
Analizaremos ahora lo que ocurre en Corte.
La IB = 0, pero vamos a ver lo que ocurre internamente.
Hay "Portadores minoritarios generados térmicamente" en la zona p de la base que crean una pequeña corriente llamada ICEo (corriente entre colector y emisor, esta "o" significa open = abierto en inglés, y quiere decir que el circuito está abierto por la base).
ICEo = Corriente de corte de minoritarios.
De ese valor hacia abajo se pone una pila que polarice la UE en inversa, de la siguiente forma:
