1. Ponga XA1, XA0 a "10". Esto habilita la carga de la orden.
2. ponga BS a "0."
3. Ponga el dato a "0001 0000". Ésta es la orden para escribir la FLASH
4. Dé un pulso positivo a XTAL1.

B: Cargue la dirección del byte alto

1. Ponga XA1, XA0 a "00". Esto habilita la carga de la dirección.
2. Ponga BS a "1". Esto selecciona el byte alto.
3. Ponga el dato = Dirección del byte alto ($00 - $0F).
4. Dé un pulso positivo a XTAL1. Esto carga la dirección del byte alto.

C: Cargue la dirección del Byte Bajo

1. Ponga XA1, XA0 a "00". Esto habilita la carga de la dirección.
2. Ponga BS a "0". Esto selecciona el byte bajo.
3. Ponga el dato = Dirección del byte bajo ($00 - $FF).
4. Dé un pulso positivo a XTAL1. Esto carga la dirección del byte bajo.

D: Cargue el byte bajo del dato

1. Ponga XA1, XA0 a "01". Esto habilita la carga del dato.
2. Ponga el dato = Byte bajo del dato ($00 - $FF).
3. Dé un pulso positivo a XTAL1. Esto carga los datos del byte bajo.

E: Escriba el byte bajo del dato

1. Ponga BS a "0". Esto selecciona la parte baja del dato.
2. Dé un pulso negativo a WR'. Esto empieza la programación del byte de dato. RDY/BSY ' está a nivel bajo.
3. Espere hasta que RDY/BSY ' esté a nivel alto para programar el próximo byte.

(Observe la siguiente figura A para ver las formas de onda señaladas.)

F: Cargue el byte alto del dato

1. Ponga XA1, XA0 a "01". Esto habilita la carga de los datos.
2. Ponga el dato = Byte alto del dato ($00 - $FF).
3. Dé un pulso positivo a XTAL1. Esto carga el byte alto del dato.

G: Escriba el byte alto del dato

1. Ponga BS a "1". Esto selecciona la parte alta del dato.
2. Dé un pulso negativo a WR'. Esto empieza la programación del byte de datos. RDY/BSY ' está a nivel bajo.
3. Espere hasta que RDY/BSY ' esté a nivel alto para programar el próximo byte.

(Observe la siguiente figura B para ver las formas de onda señaladas.)

Se retienen la orden y la dirección cargadas en el dispositivo durante la programación. Para una programación eficaz debe ser considerado lo siguiente :

• La orden sólo necesita ser cargada una vez al escribir o leer múltiples posiciones de memoria.

• El byte alto de la dirección sólo necesita ser cargado antes de programar una nueva página de 256-word en la FLASH.

• Pase por alto escribiendo el valor del dato $FF, es decir, el contenido de la FLASH entera y EEPROM después del borrado del Chip.

Estas consideraciones también se aplican a la programación de la EEPROM y lectura de la FLASH, EEPROM y del byte de firma.

Figura A. Formas de onda de la programación de la FLASH

Figura B. Formas de onda de la programación de la FLASH

El algoritmo para leer la memoria FLASH es como sigue (Vaya a la Programación de la FLASH para ver los detalles de la carga de ordenes y direcciones):

1. A: Cargue la orden "0000 0010".
2. B: Cargue la dirección del byte alto ($00 - $0F).
3. C: Cargue la dirección del byte bajo ($00 - $FF).
4. Ponga OE' a "0" y BS a "0". El byte bajo de la palabra de FLASH puede leerse ahora del dato.
5. Ponga BS a "1". El byte alto de la palabra de FLASH puede leerse ahora del dato.
6. Ponga OE' a "1."

El algoritmo de la programación para la memoria de datos EEPROM es como sigue (Vaya a la Programación de la FLASH para ver los detalles de la carga de ordenes, direcciones y datos):

1. A: Cargue la orden "0001 0001."
2. B: Cargue la dirección del byte alto ($00 - $01).
3. C: Cargue la dirección del byte bajo ($00 - $FF).
4. D: Cargue el byte bajo del dato ($00 - $FF).
5. E: Escriba el byte bajo del dato.

El algoritmo para leer la memoria EEPROM es como sigue (Vaya a la Programación de la FLASH para los detalles de la carga de las ordenes y direcciones):

1. A: Cargue la orden "0000 0011."
2. B: Cargue la dirección del byte alto ($00 - $01).
3. C: Cargue la dirección del byte bajo ($00 - $FF).
4. Ponga OE' a "0" y BS a "0". El byte del dato de la EEPROM puede leerse ahora del dato.
5. Ponga OE' a "1."

El algoritmo para programar los bits de Fusible es como sigue (Vaya a la Programación de la FLASH para los detalles de la carga de las ordenes y datos):

1. A: Cargue la orden "0100 0000."

2. D: Cargue el byte bajo del dato. Bit n = "0" programar y bit n = "1" borra el bit de Fusible.

• Bit 5 = Bit de Fusible SPIEN
• Bit 0 = Bit de Fusible FSTRT
• Bit 7-6, 4-1 = "1". Estos bits son reservados y no deben ser programados

3. Dé un pulso negativo de t_{WLWH_PFB} de ancho (entre 1.0 y 1.8 ms. Valor típico de 1.5 ms) a WR' para ejecutar la programación. La programación de los bits de Fusible no genera ninguna actividad en el pin RDY/BSY '.

El algoritmo para programar los bit llave es como sigue (Vaya a la Programación de la FLASH para los detalles de la carga de las ordenes y datos):

1. A: Cargue la orden "0010 0000."
2. D: Cargue el byte bajo del dato. Bit n = "0" programar el bit llave (cerradura).

• Bit 2 = Bit llave 2
• Bit 1 = Bit llave 1
• Bit 7 - 3, 0 = "1". Estos bits son reservados y no deben ser programados

3. E: Escriba el byte bajo del dato.

Los bits llave sólo pueden ser borrados ejecutando el borrado del Chip.

El algoritmo para leer los bit de Fusible y llave (Cerradura) son como sigue (Vaya a la Programación de la FLASH para los detalles de la carga de las órdenes):

1. A: Cargue la orden "0000 0100."

2. Ponga OE' a "0" y BS a "1". Puede leerse ahora el estado de los bit de Fusible y llave (Cerradura) en el dato ("0" significa programado).

• Bit 7 = Bit llave 1
• Bit 6 = Bit llave 2
• Bit 5 = Bit de Fusible SPIEN
• Bit 0 = Bit de Fusible FSTRT

3. Ponga OE' a "1."

Observe que BS necesita ser puesto a "1."

El algoritmo para leer los bytes de Firma es como sigue (Valla a la Programación de la FLASH para los detalles de la carga de las ordenes y direcciones):

1. A: Cargue la orden "0000 1000."
2. C: Cargue el byte bajo de la dirección ($00 - $02).

           Ponga OE' a "0" y BS a "0". El byte de Firma seleccionado puede leerse ahora en el             dato.

3. Ponga OE' a "1."