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PROGRAMACIÓN PARALELA
         

Esta sección describe cómo Programar en Paralelo y verificar la memoria de programa FLASH, la memoria de datos EEPROM, los bits "llave" (o cerradura) y los bits de Fusible en el AT90S8515.

        
Nombres de señales
   

En esta sección, algunos pines del AT908515 son referenciados por los nombres de la señal que describen su función durante la Programación Paralela. Vea la siguiente figura y la tabla A. Los pines no descritos en la tabla A son referenciados por los nombres del pin.

Los pines XA1/XA0 determinan la acción ejecutada cuando se da un pulso positivo en el pin XTAL1. La codificación de los bit se muestran en la tabla B.

Al pulsar WR' u OE', la orden cargada determina la acción ejecutada. La orden es un byte donde a los diferentes bits se les asignan funciones como se muestra en la tabla C.
             

Progr_paralelo.gif (2306 bytes)
         

Figura. Programación Paralela
          
Nombre señal en modo de Programación Nombre del pin I/O   Función
RDY/BSY' PD1 O
  0: Dispositivo ocupado programando
  1: Dispositivo listo para nueva orden
OE' PD2 I   Output Enable (activo a nivel bajo)
WR' PD3 I   Pulso de escritura (activo a nivel bajo)
BS PD4 I
  Selección de byte ("0" elige byte bajo,
  "1" elige byte alto)
XA0 PD5 I   XTAL, bit 0
XA1 PD6 I   XTAL, bit 1
DATA PB7-0 I/O
  Bus de datos bi-direccional (salida
  cuando OE' esté a nivel bajo)
       

Tabla A. Mapa de los nombres de los pines
          
XA1 XA0   Acción cuando XTAL1 es pulsado
0 0   Carga una dirección de FLASH o de EEPROM (byte de dirección alto o
  bajo determinado por BS)
0 1   Carga datos (byte de datos alto o bajo para FLASH determinado por BS)
1 0   Orden de carga
1 1   No acción, modo Idle
       

Tabla B. Codificación de XA1 y XA0
             
Byte de la orden Orden ejecutada
1000 0000 Borrado del chip
0100 0000 Bits de fusible de escritura
0010 0000 Bits de llave (cerradura) de escritura
0001 0000 Escritura en FLASH
0001 0001 Escritura en EEPROM
0000 1000 Lectura de los bytes de firma
0000 0100 Lectura de los bits de fusible y llave
0000 0010 Lectura de FLASH
0000 0011 Lectura de EEPROM
                

Tabla C. Codificación de los bit del byte de la orden
             
Entrada en modo programación
            
El algoritmo siguiente pone el dispositivo en Modo de Programación Paralelo:
  1. Aplique una tensión de suministro de 4.5 a 5.5 V, entre VCC y GND.
  2. Ponga los pines RESET ' y BS a "0" y espere 100 ns por lo menos.

  3. Aplique 11.5 - 12.5 V para hacer un RESET '. Cualquier actividad en BS dentro de 100 ns después de que se apliquen los +12V para un RESET ' causará que el dispositivo falle entrando en el modo de programación.
      
Borrado del Chip
          

La orden de borrado de Chip borrará las memorias FLASH y EEPROM y los bits llave (cerradura). Los bits llave no se resetean hasta que la FLASH y la EEPROM han sido completamente borradas. Los bits de Fusible no se cambian. El borrado del Chip debe realizarse antes de que la FLASH o la EEPROM se reprogramen.

Orden cargada "Borrado del Chip"

  1. Ponga XA1, XA0 a "10". Esto habilita la carga de la orden.
  2. Ponga BS a "0".
  3. Ponga el dato a "1000 0000". Ésta es la orden para borrar el Chip.
  4. Dé un pulso positivo a XTAL1. Esto carga la orden.

  5. Dé un pulso negativo tWLWH_CE de ancho (entre 5 y 15 ms. Valor típico de 10 ms) a WR' para ejecutar el borrado del chip. El borrado del Chip no genera ninguna actividad en el pin RDY/BSY '.

             
                                         

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