En este último apartado de este tema se resolverán algunos problemas relacionados con lo visto anteriormente.
¿Cuál es la barrera de potencial en un diodo de silicio cuando la temperatura de la unión es de 100 C?
Solución:
Si la temperatura de la unión aumenta a 100 C, la barrera de potencial disminuye en
(100 - 25)·2 mV = 150 mV = 0,15 V
con lo que el valor de la barrera de potencial es
VB = 0,7 V - 0,15 V = 0,55 V
Un diodo de silicio tiene una corriente inversa de saturación de 5 nA a 25 C. Calcule la corriente inversa de saturación a 100 C.
Solución:
La corriente inversa de saturación se duplica por cada aumento de 10 C. Por tanto, es igual a 10 nA a 35 C, 20 nA a 45 C, 40 nA a 55 C, 80 nA a 65 C, 160 nA a 75 C, 320 nA a 85 C, 640nA a 95 C, 1,28 mA a 100 C.
Recuerde que la regla sólo es una aproximación. Para obtener mayor precisión se puede emplear la regla del incremento del 7 por 100 por cada grado de aumento de temperatura. En este caso,
IS = 1,07·1,07·1,07·1,07·1,07·640 nA = 1,075·5 nA = 799 nA