Tensiones inversas de ruptura para el transistor 2N3904.
VCB....................................60 V (máximo valor en
inversa)
VCEo...................................40 V (máximo valor en inversa
con la base abierta)
VEB.......................................6 V (máximo valor en
inversa)
En realidad en la hoja de características tenemos que diferenciar los transistores en:
En las uniones del transistor se suelen dar unas temperaturas muy elevadas, siendo la unión más problemática la unión CB, porque es la que más se calienta.
En un transistor se dan tres tipos de temperaturas:
Ejemplo: Tj = 200 ºC
Para sacar el calor de la unión tenemos que el flujo calorífico ha de pasar de la unión al encapsulado y posteriormente al ambiente.
Hay una resistencia térmica unión-cápsula que dificulta que el calor pase de la unión a la cápsula (jjC).
Hay una resistencia térmica cápsula-ambiente que dificulta que el calor pase de la cápsula al ambiente (jCA).
jjC
= 125 ºC/W
jCA
= 232 ºC/W
jjA
= 357 ºC/W
Son unas resistencias que se oponen al paso de calor.
Indica como disminuye la PDmáx por cada grado de aumento de temperatura por encima de un valor determinado.
Ejemplo: Para el 2N3904 PDmáx = 350 mW (a 25 ºC) Factor de ajuste = - 2,8 mW/ºC
Si TA aumenta a 60 ºC: PDmáx = 350 - 2,8 (60 - 25) = 252 mW
Ese factor de ajuste es el inverso de la resistencia térmica:
Factor de ajuste = 1 / jjA
Este parámetro es el bcc que ya hemos visto anteriormente (IC = bcc · IB Zona Activa).
bcc = hFE
Seguimos con el ejemplo del transistor 2N3904. En el catálogo suele venir:
|
IC (mA) 0,1 1 10 50 100 |
hFE mín typ máx 40.............__...........__ 70.............__...........__ 100.............__...........300 60.............__...........__ 30.............__...........__ |
|
Este valor es para la zona activa. Como se ve en la gráfica, existe una tolerancia de fabricación o dispersión de valores en la fabricación que por ejemplo para IC = 10 mA va desde 100 hasta 300.
