Carga próxima a un dieléctrico semi-infinito

Consideremos una carga puntual q a una distancia a de una pieza semi-infinita de dieléctrico de permitividad ε. El campo eléctrico producido por la carga q polariza el dieléctrico y aparece en su superficie una densidad de carga σb

El campo eléctrico resultante en cada punto del sistema formado por la carga puntual y el dieléctrico es equivalente al producido por la carga puntual y un plano indefinido cargado con esta densidad superficial de carga σb como si estuvieran en el espacio vacío.

La componente del campo eléctrico resultante, perpendicular al plano, es

Superficie dieléctrica, x=a

Supongamos dos medios dieléctricos de permitividades ε1 y ε2

El campo eléctrico cambia de módulo y dirección

La componente normal del campo, cumple, ε1E1cosθ1=ε2E2cosθ2. La componente tangencial, no cambia E1sinθ1=E2sinθ2

En este problema, la relación entre las componentes perpendiculares al plano dieléctrico, E1 y E2 es

ε0E1=εE2

La permitividad relativa del dieléctrico εr es el cociente ε/ε0

( 1 4π ε 0 q a 2 cos 3 θ σ b 2 ε 0 )= ε r ( 1 4π ε 0 q a 2 cos 3 θ+ σ b 2 ε 0 )

Despejamos la densidad superficial de carga σb

σ b ε 0 =( ε r 1 ε r +1 ) 1 2π ε 0 q a 2 cos 3 θ

Potencial y campo eléctrico en un punto x<a

Calculamos el potencial y campo eléctrico producido por el plano x=a cargado en un punto P tal que x<a, a la izquierda de dicho plano

Dividimos el plano x=a del dieléctrico en anillos de radio y=atanθ, y de anchura dy=a·dθ/cos2θ. La carga dq del anillo es

dq= σ b ( 2πy )dy=2π σ b atanθ a cos 2 θ dθ=2π σ b a 2 sinθ cos 3 θ dθ

El potencial en el punto P(x,0) es

dV= 1 4π ε 0 dq r ,r= ( ax ) 2 + ( a tanθ ) 2

Calculamos el potencial en P producido por el plano cargado, sumando el potencial producido por los anillos

dV= σ b a 2 ε 0 sinθ cos 2 θ dθ 1 x a ( 2 x a ) cos 2 θ V= q 4π ε 0 a ( ε r 1 ε r +1 ) 0 π/2 sinθ·cosθ 1 x a ( 2 x a ) cos 2 θ dθ

La integral es inmediata, haciendo el cambio de variable, u=cos2θ, du=-2sinθcosθ·

sinθcosθ 1k cos 2 θ dθ = 1 2 du 1ku

Haciendo otro cambio de variable, v=1- ku, dv=-k·du

sinθcosθ 1k cos 2 θ dθ = 1 2 du 1ku = 1 2k v 1/2 dv= v k = 1ku k = 1 k 1k cos 2 θ

El potencial en el punto P(x,0) debido a la distribución de carga en el plano x=a vale

V= q 4π ε 0 a ( ε r 1 ε r +1 ) 1 x a ( 2 x a ) ( 1 1 x a ( 2 x a ) )= q 4π ε 0 a ( ε r 1 ε r +1 ) 1 x a ( 2 x a ) ( 1( 1 x a ) ) q 4π ε 0 a ( ε r 1 ε r +1 ) 1 x a ( 2 x a ) x a = 1 4π ε 0 ( ε r 1 ε r +1 ) q ( 2ax )

El campo eléctrico vale

E= dV dx = 1 4π ε 0 ( ε r 1 ε r +1 ) q ( 2ax ) 2

Este campo y potencial se pueden considerar producidos por una carga puntual imagen q1 situada en el punto x=2a

q 1 =( ε r 1 ε r +1 )q

El campo y potencial en los puntos P, tales que x<a, producido por el sistema formado por una carga puntual situada a una distancia a de un diléctrico semi-infinito de permitividad ε es igual al campo y potencial producido por dicha carga puntual y otra carga q1 imagen, de signo opuesto, situada en la posición x=2a, simétrica respecto del plano. Este sistema de dos cargas está en el vacío, permitividad ε0

El campo resultante en un punto P(x, 0) es

E 1 = 1 4π ε 0 q x 2 + 1 4π ε 0 ( ε r 1 ε r +1 ) q ( 2ax ) 2

Potencial y campo eléctrico en un punto x>a

Calculamos el potencial y campo eléctrico producido por el plano x=a cargado en un punto x>a, a la derecha de dicho plano

El cálculo del potencial es análogo, la expresión de la distancia r del anillo al punto P no cambia

r= ( xa ) 2 + ( a tanθ ) 2

Sin embargo, hemos de prestar atención a la raiz cuadrada, una vez efectuada la integral definida y antes de simplificar el resultado

V= q 4π ε 0 a ( ε r 1 ε r +1 ) 1 x a ( 2 x a ) ( 1 1 x a ( 2 x a ) )= q 4π ε 0 a ( ε r 1 ε r +1 ) 1 x a ( 2 x a ) ( 1( x a 1 ) ) q 4π ε 0 a ( ε r 1 ε r +1 ) 1 x a ( 2 x a ) ( 2 x a )= 1 4π ε 0 ( ε r 1 ε r +1 ) q x

El potencial debido a la carga puntual q y al plano cargado en los puntos P tales que en x>a es

V= 1 4π ε 0 ( ε r 1 ε r +1 ) q x + 1 4π ε 0 q x = 1 4π ε 0 2 ε r +1 q x = 1 4πε 2 ε r ε r +1 q x

El campo eléctrico vale

E 2 = dV dx = 1 4πε 2 ε r ε r +1 q x 2

El campo y potencial en los puntos P, tales que x>a, producido por el sistema formado por una carga puntual situada a una distancia a de un diléctrico semi-infinito de permitividad ε es igual al campo y potencial producido por una carga puntual imagen q2 situada en el origen, en la posición de la carga puntual q. Esta carga imagen está en un medio de permitividad ε

Comprobamos que en la superficie de separación x=a, los campos E1 y E2 están relacionados

E 1 = 1 4π ε 0 q a 2 + 1 4π ε 0 ( ε r 1 ε r +1 ) q a 2 = 1 4π ε 0 2 ε r ε r +1 q a 2 E 2 = 1 4πε 2 ε r ε r +1 q a 2 ε 0 E 1 =ε E 2

Actividades

Se introduce

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Observamos las líneas de fuerza y las equipotenciales (en el plano XY) para los puntos P tales que x<a, en el vacío, y para x>a, en el dieléctrico


Referencias

Taro Sometani. Kenroku Hasebe. Method for solving electrostatic problems having a simple dielectric boundary Am. J. Phys. 45 (10) October 1977, pp. 918-921

Lorrain P. Corson D. Campos y ondas electromagnéticas. Selecciones Científicas (1972), págs. 162-166